Especificações:

- Frequência de operação: 2666Mhz

- CL (IDD): 19 ciclos

- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)

- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)

- Potência Máxima de Operação – TBD W*

- Classificação UL 94 V - 0

- Temperatura de operação – 0oC a +85oC

- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC

*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM

Características / Benefícios:

- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico

- VDDQ = 1,2 V Típico

- VPP = 2.5V Típico

- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara

- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

- Geração e calibração VREFDQ no DIE

- Single Rank

- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada

- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

- Topologia fly-by

- Comando de controle e barramento de endereços com terminação

- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

- Em conformidade com RoHS e sem halogênios

Conteúdo da embalagem:
- Memória Kingston 4GB